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場效應管與雙極型晶體管的性能比較



場效應管與雙極型晶體管的性能比較



場效應管FET的栅g、源極s、漏極d對應于雙極型晶體管BJT的基極b、發射極e、集電極c,它們的作用相類似。

一、場效應管用栅-源電壓vGS控制漏極電流iD,栅極基本不取電流;而晶體管工作時基極總要索取一定的電流。因此,要求輸入電阻高的電路應選用場效應管;而若信号源可以提供一定的電流,則可選用BJT。而BJT組成的放大電路可以得到比FET更大的電壓放大倍數。

二、FET隻有多子參與導電;BJT内既有多子又有少子參與導電,而少子數目受溫度、輻射等因素影響較大,因而FETBJT的溫度穩定性好、抗輻射能力強。所以在環境條件變化很大的情況下應選用FET

三、FET的噪聲系數很小,所以低噪聲放大器的輸入級和要求信噪比較高的電路應選用FET。當然也可選用特制的低噪聲BJT

四、FET的漏極與源極可以互換使用,互換後特性變化不大;而BJT的發射極與集電極互換後特性差異很大,因此隻在特殊需要時才互換。

五、FETBJT的種類多,特别是耗盡型MOS管,栅-源電壓vGS可正、可負、可零,均能控制漏極電流。因而在組成電路時FETBJT有更大的靈活。

六、FETBJT均可用于放大電路和開關電路,它們構成了品種繁多的集成電路。但由于FET集成工藝更簡單,且具有耗電省、工作電源電壓範圍寬等優點,因此FET越來越多地應用于大規模和超大規模集成電路之中。


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